Na czasieIntel Developer Forum – 32-nanometrowe procesory Core > redakcja Opublikowane 16 września 20090 0 146 Podziel się Facebook Podziel się Twitter Podziel się Google+ Podziel się Reddit Podziel się Pinterest Podziel się Linkedin Podziel się Tumblr SoCIntel po raz pierwszy opracował w pełni funkcjonalną technologię wytwarzania układów SoC (System on a Chip), która uzupełnia technologię specyficzną dla procesorów — obie używają drugiej generacji tranzystorów z metalową bramką i izolatorem o wysokiej stałej dielektrycznej (High-K and Metal Gate), aby osiągnąć najwyższą w branży wydajność i najlepszą charakterystykę zasilania. Druga generacja 32-nanometrowych tranzystorów high-k z metalową bramką cechuje się najwyższą wydajnością (mierzoną prądem sterowania) spośród wszystkich tranzystorów wytwarzanych w technologii 32- lub 28-nanometrowej. Długość bramki tranzystora (miara gęstości) wynosi 112,5 nm. Długość bramki wskazuje, jak gęsto można upakować tranzystory na danym obszarze. Wyższa gęstość oznacza więcej tranzystorów na danej powierzchni, a zatem większą funkcjonalność i wyższą wydajność. Tranzystory NMOS są wydajniejsze o 19 procent w porównaniu z odpowiednikami 45-nanometrowymi zaś PMOS o 29 procent. Rekord produkcji Intel poinformował także o osiągnięciu produkcyjnym. Od listopada 2007 roku Intel dostarczył ponad 200 milionów procesorów 45-nanometrowych z tranzystorami HK+MG. Intel Developer Forum Kwestie te będą omawiane podczas różnych sesji na konferencji Intel Developer Forum w przyszłym tygodniu i w referatach na konferencji International Electron Devices Meeting w grudniu 2009.
